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怎么解释带隙过小（小于1.0 eV）对红外非线性光学晶体材料的严重影响
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化合物带隙过小的话会严重限制其红外非线性光学性能，这个可以怎么解释呢，除了一般大的bandgap会导致大的LDT之外，怎么解释带隙小的化合物不适合在红外非线性光学领域的应用更让人信服呢？ HELP！！！ |
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其实我说实话这句话也就是做化学的不理解物理内涵做的一个唯象理论，其实一个角度是红外损伤阈值主要由热损伤决定，一般来说带隙小的化学键成键较弱，熔点偏低，热损伤阈值低，当然如果熔点比较高热导率比较大的材料另说。比如GaAs带隙0.57不妨碍它是最好的远红外红外非线性光学材料，最好的中红外是ZnGeP2 发自小木虫Android客户端 |
2楼2019-07-23 02:10:54
zx1331919
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多嘴说一句损伤阈值其实包括光学和热学两部分，很多有机物光损伤很高，但热损伤很低所以很难应用。不过也就是这样了，很多文章也就是人云亦云，没啥营养，真想知道多看看物理的机理，虽然损伤阈值的具体机理也是物理里没搞清的问题，但是说个带隙就觉得损伤阈值高或低真是无聊，不过嘛发文章而已，很多JACS上非相位匹配的性能瞎忽悠还不是发了，真较真你时间上不允许的 发自小木虫Android客户端 |
3楼2019-07-23 02:19:48
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其实当你看到ZnGeP2的带隙比AgGaS2低，但是损伤阈值更高你就要明白所谓带隙越大损伤阈值越高就是个多不严谨的结论。ZnGeP2的热导率比AGS高得多 发自小木虫Android客户端 |
4楼2019-07-23 02:22:43
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5楼2019-07-23 02:27:47
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