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hongxinglee

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】漫反射谱怎么换成对E与(ahv)2的关系

问大家一个问题:

测吸收时用的是漫反射(%R)
请问怎么变换横坐标和纵坐标成E(或说hv)  与 (ahv)2的曲线啊?这样可以知道半导体的带隙!
   
   谢谢!
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swws16

木虫 (小有名气)

如果你想转化成为(ahv)2,那个a是吸收或者吸收系数,我用吸收谱算过
,但是从反射谱就不知道怎么弄了.
并且不同类型的半导体,有不同的指数项,有平方,根号等等,记忆之中有四种取值
引用回帖:
Originally posted by hongxinglee at 2009-5-22 19:48:
问大家一个问题:

测吸收时用的是漫反射(%R)
请问怎么变换横坐标和纵坐标成E(或说hv)  与 (ahv)2的曲线啊?这样可以知道半导体的带隙!
   
   谢谢!

[ Last edited by swws16 on 2009-5-23 at 00:25 ]
15楼2009-05-23 00:23:57
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lylpop

木虫 (著名写手)

★ ★
wdwsnnu(金币+2,VIP+0): 5-22 20:16
首先把纵坐标转换为K-M单位F(R)
然后把横坐标转换为eV单位,方法如下:hv(单位为eV)=1240/波长,其中波长的单位为nm。
然后[F(R)*hv]^2~hv作图,取吸收带边切线与x轴交点就可读出带隙Eg

[ Last edited by lylpop on 2009-5-22 at 20:00 ]
每个明天都要比今天更进一步,每一步的追赶都是不同的快乐
2楼2009-05-22 19:56:16
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hongxinglee

金虫 (正式写手)

感谢回帖,不过还是没明白,
首先把纵坐标转换为K-M单位F(R),什么是K-M单位?具体公式怎么样呢?
3楼2009-05-22 20:05:06
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hongxinglee

金虫 (正式写手)

是用F(R)=[(1-R)^2]/2R吗?
然后再作[F(R)*hv]^2
其中v是波长即横坐标?
4楼2009-05-22 20:10:08
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