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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】漫反射谱怎么换成对E与(ahv)2的关系
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hongxinglee

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】漫反射谱怎么换成对E与(ahv)2的关系

问大家一个问题：

测吸收时用的是漫反射(%R)
请问怎么变换横坐标和纵坐标成E（或说hv)  与 (ahv)2的曲线啊？这样可以知道半导体的带隙！
   
   谢谢！
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1楼 2009-05-22 19:48:02
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hongxinglee

金虫 (正式写手)
还有，我测的时候纵坐标是30多，反正不能用1-R,我用100-R行吗？还是先要把纵坐标除以100?
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14楼2009-05-22 20:59:20
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lylpop

木虫 (著名写手)
★ ★
wdwsnnu(金币+2,VIP+0): 5-22 20:16
首先把纵坐标转换为K-M单位F(R)
然后把横坐标转换为eV单位，方法如下：hv(单位为eV)=1240/波长，其中波长的单位为nm。
然后[F(R)*hv]^2~hv作图，取吸收带边切线与x轴交点就可读出带隙Eg

[ Last edited by lylpop on 2009-5-22 at 20:00 ]
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每个明天都要比今天更进一步，每一步的追赶都是不同的快乐
2楼2009-05-22 19:56:16
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hongxinglee

金虫 (正式写手)
感谢回帖，不过还是没明白，
首先把纵坐标转换为K-M单位F(R)，什么是K-M单位？具体公式怎么样呢？
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3楼2009-05-22 20:05:06
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hongxinglee

金虫 (正式写手)
是用F(R)=[(1-R)^2]/2R吗？
然后再作[F(R)*hv]^2
其中v是波长即横坐标？
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4楼2009-05-22 20:10:08
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