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【求助】two probe系统优化顺序
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我的model是 电极：4层Si电极 散射区：3层surface Si + SiO2分子 + 3层surface Si 我想按照这样的顺序优化： 优化Si电极。 见图。我先讲中间散射区全部删掉。 全部只剩下Si电极留下来。但是此时由于不是two-probe系统，所以无法拖拽到运算区。VNL报错。 我是不是应该至少添加一层surface Si, 然后按照two-probe结构优化？但是这样下面该以什么顺序优化呢？ 请达人指点。 |
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freshgirl(金币+3,VIP+0):非常感谢 7-17 09:29
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这样肯定报错的，OK。这样理解，你送一个这样的一个没有中间散射区域的电极进去，系统肯定不认识的，第一，计算电极，是取得中间散射区域的外场势，如果仅仅有外场，那里面什么数据都没有，电脑没那么聪明，肯定初始化都通不过。 所以，我这么觉得，一，保持电极还未cleave时候的状态-----优化，二，优化你的SiO2结构，三，电极cleave，加入优化后的SiO2，再优化，中间有个取K点的不同。 一点浅见，不知道对不对，但是一般我这样算出来的一些结果和文献上是差不多的 我的理解：1. 优化中心散射区 2. 算 E d,找出合适 d 3。全体优化 你说的优化电极，电极在优化的时候是默认固定的。 不知道我说的对不.... |
4楼2009-07-16 15:14:04
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spur(金币+3,VIP+0):3Q!!! 5-22 18:21
freshgirl(金币+2,VIP+0):非常感谢 5-22 21:55
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这样肯定报错的，OK。这样理解，你送一个这样的一个没有中间散射区域的电极进去，系统肯定不认识的，第一，计算电极，是取得中间散射区域的外场势，如果仅仅有外场，那里面什么数据都没有，电脑没那么聪明，肯定初始化都通不过。 所以，我这么觉得，一，保持电极还未cleave时候的状态-----优化，二，优化你的SiO2结构，三，电极cleave，加入优化后的SiO2，再优化，中间有个取K点的不同。 一点浅见，不知道对不对，但是一般我这样算出来的一些结果和文献上是差不多的。 |
2楼2009-05-22 15:21:11
3楼2009-05-22 15:34:25
