| 查看: 502 | 回复: 1 | ||
[求助]
为什么制备GaAs薄膜时为什么要As过量? 已有1人参与
|
| 为什么制备GaAs薄膜时为什么要As过量?发现大多数III-V族化合物薄膜在制备过程中都是V族元素过量的,这是基于什么原因呢? |
» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开?
已经有1人回复
求助两种BiOBr晶体的CIF文件(卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 )
已经有0人回复
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有267人回复
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件,或者CCDC号
已经有0人回复
河北大学-26年秋季入学申请考核制-化学博士1名
已经有0人回复
XPS/?λXPS
已经有0人回复
xxiaotian
木虫 (初入文坛)
- 应助: 5 (幼儿园)
- 金币: 3517.6
- 帖子: 26
- 在线: 75.9小时
- 虫号: 2777257
- 注册: 2013-11-04
- 性别: GG
- 专业: 光子与光电子器件

2楼2019-05-30 20:11:40












回复此楼