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[求助]
关于晶体生长，界面能，表面能，应变能的区分
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各位大佬： 最近看了PVD涂层在沉积过程中晶体生长择优取向的变化，晶体容易朝着最小自由能的方向生长，且晶体的密排面表面能最小，容易垂直于密排面生长，晶体表面也是密排面，根据最小能量的理论。按照这个逻辑，所有的FCC晶体的XRD结果应该（111）的衍射峰最强，但事实上不是这样，XRD卡片也不是这样，比如Al和TiN，CrN,Al的（111）最强峰，而化合物则是（200）最强。 另外晶体生长还和应变能有关系，，那么应变能跟晶面有什么关系呢，密排面的应变能最大吗？？？ |
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2楼2019-06-11 20:32:07
| 再顶一下 |
3楼2019-06-18 11:16:52
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晶体生长分为晶核生成和晶体长大，而界面能是包括材料的相界和晶界等具有的能量。而表面能是材料表面所具备的能量，一般可看做反应活性的标准。应变能，就是发生应变的储存的能量 发自小木虫Android客户端 |
4楼2019-06-19 12:47:11