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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 【求助】有关半导体能带的计算
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hongxinglee

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】有关半导体能带的计算

本虫子是对理论是一点不懂，近来做出一新材料想做一些从理论到实验方面的一些工作，最基本的就是带隙咯！但初次接触MS对他不是很了解：
    想问题高手们几个问题：
1：计算时全势是不是比赝势更好？
2：对于某种材料如果是直接带隙的会不会误差大到把这种材料算成间接带隙半导体？
3：对如一个cell的计算（就是一个分子式）不加任何掺杂大概算出来误差会有多大？
4：单机能不能算？能计算机的要求多高？
5：本人的材料有三种元素，含17个原子，如果计算是不是很麻烦？大概多久？
6：如可能寻高手合作，有意者加QQ35411951

欢迎和感谢各位虫友回答！

[ Last edited by freshgirl on 2009-6-20 at 13:12 ]
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1楼 2009-05-21 21:31:56
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greeeed

新虫 (小有名气)
★ ★
zdhlover(金币+2,VIP+0):谢谢，欢迎常来，鼓励新虫 5-22 01:15
1,全电子准确，软件wien2k
2,应该不会
3.带隙计算如果用castep，差距有点大
4，单击最好4核+8g内存，可上32个原子
5.16个原子castep应该半天不到可以搞定
6.我也是新手，呵呵，相互学习
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4楼2009-05-22 17:49:49
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njuswj

银虫 (小有名气)
★
zdhlover(金币+1,VIP+0):谢谢，欢迎常来，鼓励新虫 5-22 01:15
全势目前还算不了,所以需要用赝势代替.当然你可以提高赝势的截断能量来提高精度.
赞一下(10人) 回复此楼
2楼2009-05-22 12:43:48
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sars518

木虫 (著名写手)

小木虫灌水大队队长
1.各有利弊
2.这个可能性不大，不过 带隙的值  误差还是有的
3.得看你的是什么体系
4.根据“5：……”    配置好点的单机应该可以
5.不算麻烦，多久就不确定了
6.请楼下高手 加 lz  QQ
7.请各位批评、指正、补充
赞一下 回复此楼
人生是一场旅行，在欣赏风景的同时，别忘了你也是别人的风景。
3楼2009-05-22 14:33:05
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