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压电纳米发电机n型半导体材料的载流子屏蔽效应
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| 个人不太明白的一点是，压电材料产生的压电势能够驱动外电路电荷移动。但是文献上都说n型半导体不适合做压电纳米发电机材料，是因为n型半导体中载流子的屏蔽效应能够屏蔽压电势，p型半导体里面自由移动的空穴不也可以屏蔽压电材料产生的压电势吗？还有外部电路的电荷移动，外部电路的电荷是哪来的？希望得到大神解答 |
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