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[求助]
磁控溅射法制备高K薄膜，为什么漏流很大？
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| 用磁控溅射法制备高K薄膜，在漏流I-V测试时，发现漏流很大，漏流密度达到10-6A/cm2，无法达到绝缘效果，怎么回事？是不是磁控溅射法不适合做绝缘薄膜？测试了氧化铪、铪钛氧等高k材料，漏流都很大。 |
木虫 (正式写手)
君子和而不同
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