| 查看: 680 | 回复: 1 | ||
[求助]
磁控溅射法制备高K薄膜，为什么漏流很大？
|
| 用磁控溅射法制备高K薄膜，在漏流I-V测试时，发现漏流很大，漏流密度达到10-6A/cm2，无法达到绝缘效果，怎么回事？是不是磁控溅射法不适合做绝缘薄膜？测试了氧化铪、铪钛氧等高k材料，漏流都很大。 |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有9人回复
-
申博自荐 2篇一区TOP+1篇EI+2公开发明专利 2027博士申请
已经有3人回复
-
越来越担心硕士毕业后没有竞争力了
已经有12人回复
-
闲聊
已经有6人回复
-
申博求助
已经有4人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
tangtang0427
木虫 (正式写手)
君子和而不同
- 博学EPI: 2
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 2208.6
- 散金: 34
- 红花: 1
- 帖子: 404
- 在线: 34小时
- 虫号: 1002994
- 注册: 2010-04-22
- 性别: GG
- 专业: 等离子体物理
2楼2019-04-23 10:41:15