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yansique71

新虫 (初入文坛)

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[求助] 关于计算能带带隙过大的问题已有1人参与

求问：在计算一个添加吸附物的二维体系：a=b≠c，α=β=90，γ=122时（本来是六方晶系），想取单胞计算hse06杂化能带。布里渊区的k点路径该怎么取呢？之前有帖子说二维材料的k点路径常用的是两种：gmkg（hexagonal(primitive)）和gxsg（othorhombic(primitive)），可我的体系和两种都不太一样。如果忽略γ的变化，取g（0，0，0）m（0，0.5，0）k（1/3，1/3，0）g（0，0，0），在g点有带隙是3ev左右，如果用g（0，0，0）x（0，0.5，0）s（-0.5，0.5，0）g（0，0，0），在s点有带隙是1ev左右。单纯计算dos发现，体系的带隙应该在0.3-0.4ev左右。普通能带的计算，若取两种路径，也是2.9左右的带隙。参考文献的带隙值是0.4左右。
请问这种情况，问题到底出在哪里了呢，希望有经验的朋友予以解答，真心感谢！

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1楼 2019-04-19 20:26:47

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前田庆次

木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

求问：在计算一个添加吸附物的二维体系：a=b≠c，α=β=90，γ=122时（本来是六方晶系），想取单胞计算hse06杂化能带。布里渊区的k点路径该怎么取呢？
之前有帖子说二维材料的k点路径常用的是两种：gmkg（hexagonal(primitive)）和gxsg（othorhombic(primitive)），可我的体系和两种都不太一样。如果忽略γ的变化，取g（0，0，0）m（0，0.5，0）k（1/3，1/3，0）g（0，0，0），在g点有带隙是3ev左右，如果用g（0，0，0）x（0，0.5，0）s（-0.5，0.5，0）g（0，0，0），在s点有带隙是1ev左右。单纯计算dos发现，体系的带隙应该在0.3-0.4ev左右。普通能带的计算，若取两种路径，也是2.9左右的带隙。参考文献的带隙值是0.4左右。
请问这种情况，问题到底出在哪里了呢，希望有经验的朋友予以解答，真心感谢！

γ=122那就不是六方了，布里渊取gmkg（hexagonal(primitive)）和gxsg（othorhombic(primitive)）都错
这时候布里渊不好算，可以用态密度看看带隙是多少

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