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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【交流】关于导电和禁带宽度问题
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碧海蓝天5087

[交流] 【交流】关于导电和禁带宽度问题

对于一种材料来说，是不是它导电性越好也即载流子浓度越大，那么它的禁带宽度就越小？是不是这么个关系？
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1楼 2009-05-15 19:17:46
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2008020891

金虫 (小有名气)
★ ★
zt970831(金币+2):感谢您的交流
个人认为是是的，相对的是本征材料，根据本征材料载流子的浓度公式有，本征载流子浓度的平方与禁带宽度成负指数关系，当然载流子的浓度还与温度有关。
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2楼2009-05-15 20:19:47
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碧海蓝天5087

引用回帖:
Originally posted by 2008020891 at 2009-5-15 20:19:
个人认为是是的，相对的是本征材料，根据本征材料载流子的浓度公式有，本征载流子浓度的平方与禁带宽度成负指数关系，当然载流子的浓度还与温度有关。

能详细指教一下和温度的具体关系吗？
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3楼2009-05-15 20:32:51
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
zt970831(金币+2):感谢您的交流
材料的导电性不光跟载流子浓度有关，还跟载流子迁移率有关。
ZnO禁带宽度在3.0eV左右，本征非晶硅半导体的禁带宽度在1.75eV左右，但是ZnO的导电性要远远好于非晶硅半导体。
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4楼2009-05-15 22:19:27
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gdfollow

至尊木虫 (著名写手)

东方洛克博
★
zt970831(金币+1):感谢您的交流
禁带宽度与载流子浓度和温度有关》
随载流子浓度升高而降低》
与温度关系是具体条件而定》
可以从费米能级推到
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破马长枪立乾坤
5楼2009-05-15 23:26:25
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bdtlyh

铜虫 (小有名气)
★
zt970831(金币+1,VIP+0):感谢您的交流 5-17 09:35
引用回帖:
Originally posted by cord at 2009-5-15 22:19:
材料的导电性不光跟载流子浓度有关，还跟载流子迁移率有关。
ZnO禁带宽度在3.0eV左右，本征非晶硅半导体的禁带宽度在1.75eV左右，但是ZnO的导电性要远远好于非晶硅半导体。

对，不能简单认为禁带就窄。宽禁带材料高导电性是因为由于ZnO结构是纤锌矿结构，有很强的内建电厂，是材料表面载流子浓度增高。
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6楼2009-05-17 01:02:22
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
第一次听到楼上这种理论，
能否给详细解说解说？
结构----内建电场-----表面载流子  三者之间的关系

我理解你的意思是导电是由于表面载流子的关系，是这样吗？
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7楼2009-05-17 07:36:11
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eagleforever

木虫 (正式写手)
电阻=初始电阻e^(-Eg/KT),记得好像是这么个公式，其中初始电阻是指在绝对零度时材料的电阻，与载流子浓度有关。Eg是指禁带宽度，一般的半导体是这样，特殊的要特殊分析。
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8楼2009-05-21 18:33:12
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tan-tt

木虫 (小有名气)
★
dawnlight(金币+1,VIP+0):3x,感谢分享~ 5-26 09:21
导电特性取决于载流子浓度和迁移率。载流子浓度与禁带宽度没有必然的关系，载流子浓度与掺杂、缺陷有关，禁带宽度与晶体结构有关。对于本征半导体，忽略掺杂，认为载流子都来自热激发，这时候禁带宽度小的晶体容易产生热激发的自由载流子，从而电导率要高。
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9楼2009-05-24 12:04:01
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匿名

本帖仅楼主可见
10楼2009-05-25 23:29:07
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