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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

[交流] 【交流】太阳电池量子效率的定义

原来以为我把这个问题搞清楚了,现在想想又糊涂了。
疑问:
1.量子效率和入射光谱情况有关系吗?(我原来想的是内量子效率——这里指的是单一波长的内量子效率,是没有关系的,但是我用软件模拟的时候,发现不同的入射光谱内量子效率不一样)
2.如果有100%的陷光结构,内量子效率和外量子效率一样吗?

[ Last edited by ddx-k on 2009-5-15 at 14:02 ]
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haipinghu008

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by ddx-k at 2009-5-15 11:16:
原来以为我把这个问题搞清楚了,现在想想又糊涂了。
疑问:
1.量子效率和入射光谱情况有关系吗?(我原来想的是内量子效率——这里指的是单一波长的内量子效率,是没有关系的,但是我用软件模拟的时候,发现不同 ...

同意3楼的说法。
陷光为100%,内外量子效率理论上相等。

[ Last edited by haipinghu008 on 2009-5-15 at 21:08 ]
6楼2009-05-15 20:37:44
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swordfairy

铜虫 (小有名气)


ddx-k(金币+1,VIP+0):请回答详细,我的意思是单一波长量子效率。 5-15 14:01
第一个,量子效率和入射光谱情况肯定是有关系的。量子效率和入射光谱构成光谱响应曲线。
第二个不是太了解。
2楼2009-05-15 12:46:12
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wyraul

银虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+4,VIP+0):很好,与我想的一样,但是我通过软件模拟的时候,开光源与不开光源不一样 5-15 16:47
ddx-k(金币+1,VIP+0):你说的与我想的一样。但是我通过PC1D模拟的时候,开光源与不开光源不一样。光谱不一样也是不一样的。文献上给出的应该是所有波长的光强度一样的情况下的量子效率。不知道楼上能解释下不 5-15 16:58
量子效率与入射光谱本质上是没有关系的,其相当程度上决定于材料自身的吸收系数以及结的结构和参杂参数。这些都是材料本身或者实际器件所决定的。是不依赖入射光的。这一点你可以具体参考半导体器件方面的书籍看看量子效率的表达式中有没有出现光通量的一项。由于在实验测量中,我们需要利用外部光源来测量具体的位置样品的量子效率,所以通常让人产生错觉,认为量子效率与入射光谱有关。但这种外部光源的利用已经通过与已知标准电池的量子效率相比而去除了。所以,量子效率与入射光谱没有关系。

原则上,你如果制作出了100%的陷光结构,从数学表达上,此时内量子效率与外量子效率数值上应当是一致的。
3楼2009-05-15 16:34:29
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

楼上说的与我想的一样。
但是我通过PC1D模拟的时候,开光源与不开光源不一样。光谱不一样也是不一样的。
文献上给出的应该是所有波长的光强度一样的情况下的量子效率。

不知道楼上能解释下不?
4楼2009-05-15 16:57:26
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