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瞬态光照射下i-v曲线测试p-n异质结，onset电位相较n型变更负？
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如题。在间歇可见光照射下，测试co3o4/tio2（p/n异质结），半导体的伏安特性曲线。发现出现阳极电流的电位（onset)，相较单纯tio2电位变负。 我的理解i-v测试的onset电位为费米能级电位，这能否说明复合后样品费米能级负移？但是文献中都说p-n复合会负移。 不知道这种情况如何解释，有文献最好，毕业论文急需，万分感谢！ @qsywp 发自小木虫Android客户端 |
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