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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】第一原理计算结果讨论(系列二) 已有1人参与

第一原理计算结果讨论(系列一)http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1320946得到了各位虫友的广泛讨论,在此对所有参与讨论的虫友一并表示感谢,该问题还可以继续讨论

前两天和yzcluster专家顾问讨论了一下儿问题,有些不太明白。
现在我在个人理解的基础上,有些也不完全懂,在推出第一原理计算结果讨论(系列二)方便大家讨论交流。期待各位虫友的参与和指点。

讨论一:
电荷密度图(charge density),变型电荷密图(def-ormation charge density)和差分电荷密度图(difference charge density)等等,加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图(spin-polarized charge density)。所谓“变型”是指原子组成体系(团簇)之后电荷的重新分布,“差分”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布,因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。通过电荷聚集(accumulation)/损失(depletion)的具体空间分布,看成键的极性强弱;通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道(这个主要是对d轨道的分析,对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过)。

问题:我对这三种电荷图理解的不透彻,通过这三种电荷密度图能判断出是共价键和离子键吗?如果能,怎样判断出来?最好能给出三种电荷图加以说明。

讨论二:
对于成键分析用的晶体轨道重叠布局图,如何分析? 谁会MULLIKEN电荷布局图,请各位虫友帮忙讨论这个问题,最好给个图,分析一下。多谢。

讨论三:
TDOS,SDOS,SPDOS,LDOS,PDOS是从不同的侧面去描写体系的电子结构,反应的意义也不同,大家谁知道TDOS,SDOS,SPDOS,LDOS,PDOS的区别?最好贴个图,一起分析一下,共同学习。
希望得到版主和各位虫友的支持,会的在温习一下,不会的就当学点新知识,大家共同学习。

[ Last edited by wuli8 on 2009-5-14 at 16:42 ]
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愿意结识从事第一原理研究的学者!
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by whzhang81 at 2009-7-27 13:02:
个人的一点浅见:

对于分析原子成键类型的,VASP提供一种 Electronic localization
function (ELF) 分析的,可以根据拓扑结构分析成键类型。

对于各种DOS的, TDOS应该是总的DOS,SDOS应该是自旋计划计算得 ...

首先,感谢您的回答。
另外,对于LDOS和PDOS的区别,麻烦您能稍微详细的说明一下吗?
多谢您
愿意结识从事第一原理研究的学者!
34楼2009-07-28 09:55:01
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

虫友们,说点话啊。
愿意结识从事第一原理研究的学者!
3楼2009-05-13 10:49:52
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

各位第一原理的版主和专家,请光临寒舍,发表些意见啊。。。。。。。
愿意结识从事第一原理研究的学者!
4楼2009-05-13 21:28:31
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qkzh3091

金虫 (小有名气)

急求

上面的问我很感兴趣,有那为高手,知道,请指点!!
我的邮箱:qikezhen8041@163.com
keep moving.
5楼2009-05-13 23:46:10
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