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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】c-v曲线分析 50金币
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陈勇跃

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】c-v曲线分析 50金币

半导体的费米能级弯曲是什么意思？如何定性分析mos结构的电容电压曲线，每一段曲线的意思是什么？

[ Last edited by 陈勇跃 on 2009-5-10 at 21:55 ]
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1楼 2009-05-10 21:38:57
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bjtu

木虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
陈勇跃(金币+5,VIP+0):谢谢帮忙 5-11 09:25
陈勇跃(金币+10,VIP+0): 7-15 22:52
一般来讲，半导体的费米能级随温度和掺杂浓度变化，不是一个常数，只有温度和载流子浓度一定时，费米能级才是常数。
电容电压特性，由于MOS结构的特性，分为电荷积累，耗尽和反型状态，电压小于0为积累，从0到一定的值（<2Vb)时，为耗尽，当电压>2Vb时，为反型，具体的内容可参见刘恩科的《半导体物理》
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2楼2009-05-10 22:55:42
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mozhui

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
陈勇跃(金币+5,VIP+0):有点明白了，呵呵 5-11 15:49
陈勇跃(金币+1,VIP+0): 7-15 22:52
陈勇跃(金币+3,VIP+0): 7-15 22:53
没理解错的话楼主说的半导体费米能级弯曲是指不同半导体接触导致的弯曲，这是由于不同半导体费米能级不同，而接触后电子能量即不同半导体的费米能级要趋于相同水平，这种趋势使得高能级被拉低而低能级被提高，从而造成了能带弯曲~
至于对MOS曲线的详细分析可参考一般的电子技术书籍~
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3楼2009-05-11 13:37:31
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tingyee

金虫 (小有名气)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
陈勇跃(金币+2,VIP+0):thanks 5-13 11:20
陈勇跃(金币+10,VIP+0): 7-15 22:52
c-v就三段了，聚集，空泛和反型了
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4楼2009-05-11 16:41:18
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陈勇跃

金虫 (正式写手)
为什么p型半导体Ep越往下能量越高呢？
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5楼2009-05-23 11:13:26
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leoaqu

金虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
陈勇跃(金币+4,VIP+0):xiexie 5-27 11:39
陈勇跃(金币+10,VIP+0): 7-15 22:52
band bending 问题。是不同材料的公函数不同，引起的电子转移造成的
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6楼2009-05-25 18:35:52
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yjyang07

木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
费米能级的弯曲程度代表着这个半导体pn结内建电场的强度。弯曲越厉害则电场越高。
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天行健，君子以自强不息～～～～～
7楼2009-08-12 14:27:01
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rdwjf

捐助贵宾 (知名作家)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
空穴和电子正好反过来的啊
引用回帖:
Originally posted by 陈勇跃 at 2009-5-23 11:13:
为什么p型半导体Ep越往下能量越高呢？

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8楼2009-08-12 14:29:10
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木子小木虫

荣誉版主 (知名作家)

优秀版主
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
理想MOS结构的C-V曲线分为3个区：积累区，耗尽区和反型层。但是它也受到测量频率的影响，在低频时可能出现强反型层，高频时是一种类似台阶的曲线。
实际情况下，由于金属材料与半导体材料之间的功函数不同，MOS结构的C-V特性可能向左或向右移动。另外，由于绝缘层存在的固定或可动的电荷，曲线也会向左或向右移动。
可以看一些半导体方面的书籍，里面或多或少都有讲这方面的知识
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论文投稿区欢迎您！
9楼2009-08-13 09:40:37
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