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xingzhewozhi至尊木虫 (著名写手)
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respro_hua
铜虫 (正式写手)
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guxue
专家顾问 (知名作家)
学习使人进步
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【答案】应助回帖
感谢参与,应助指数 +1
| 2014年3月,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室和物理学院陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作,制备出具有几纳米厚的二维黑磷场效应晶体管,该研究成果发表在《Nature Nanotechnology》杂志上。研究人员利用胶带进行机械剥落的方法从块状单晶中剥出薄片到具有一层热生长的二氧化硅的的退化掺杂的硅晶片上,在此基础上制备出场效应晶体管。当二维黑磷材料厚度小于7.5nm时,其漏电流调制幅度为105量级,I-V特征曲线展现出良好的电流饱和效应。晶体管电荷载流子迁移率还呈现出厚度依赖性,当二维黑磷厚度10nm时,获得最高的迁移率值~1,000cm2V-1s-1,由此表明二维黑磷场效应晶体管具有极高的应用潜力。 |

3楼2019-02-20 09:29:45









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