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肖特基结处的电场E
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我做了一个晶体管，结构是Au/CuPc/Al/CuPc/Au，P型半导体材料CuPc为半导体层，Au做源/漏级。 我认为：电场强度E与器件上的电压负载（V）和有机层( d )的厚度有关，即E = V / d，其中V是漏极-源极电压，d是半导体层的总厚度。 可是有人说：E、V和d之间的这种关系只有当施加的电压在厚度上有规律地下降时才是正确的。然而，由于半导体掺杂有p型掺杂剂，肖特基结处的电场E不等于V/d。 这种说法对吗？ 哪位大神给我解释一下，E的表达式到底是什么？ |
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