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cesc2010

新虫 (初入文坛)

[求助] 晶硅太阳电池的表面复合速度通过什么影响反向饱和电流?

晶硅太阳电池的表面复合速度越小,二极管反向饱和电流应该越小,开路电压就越大
但是不知道怎么把表面复合速度和反向饱和电流联系起来
谢谢!

[ Last edited by nono2009 on 2018-12-23 at 09:44 ]
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cesc2010

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by leinuo2018 at 2018-12-22 14:17:42
理想状态下,这2个参数没有什么关联。表面复合速度是表征扩散后的横行电阻的,复合速度大,表明掺杂多,uoc大。反向饱和电流,是给电池反向偏压,测试出的漏电流值,表征器件稳定性的
...

谢谢你的回答!
不过实验结果显示,表面复合速度越大,太阳电池的Voc则越小
实际上我是想知道这个复合速度是怎么导致Voc,也就是J0变化的
3楼2018-12-23 14:01:33
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leinuo2018

木虫 (职业作家)

理想状态下,这2个参数没有什么关联。表面复合速度是表征扩散后的横行电阻的,复合速度大,表明掺杂多,uoc大。反向饱和电流,是给电池反向偏压,测试出的漏电流值,表征器件稳定性的

发自小木虫IOS客户端
2楼2018-12-22 14:17:42
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