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【求助】审稿人关于用漫反射作图求掺杂带隙的问题
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In fig.X, "(ahv)^1/2 vs. hv" plot is applicable to indirect gap excitation accordance with semiconductor energy band theory. In this study, photon absorption occur with dopant level which formed imperfect enegy band structure, so from this figure it can not determine the real band gap energy 我看上些文献都用了这个方法，直接求出带隙，怎么我的就不行呢？该怎么修改呢，谢了！ |
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2楼2009-04-30 12:31:24
3楼2009-05-05 16:05:24
lgq1980
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催化大师(金币+3,VIP+0):谢谢指点，欢迎常来催化版讨论！ 5-5 19:55
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说实话，你遇到的审稿人是学物理的。其实这个计算本来就是近似，而且是很模糊的。学化学的人默认这是对的，真正学物理出身的都知道这个计算是很粗糙的。对于带隙的计算，学催化的人，特别是光催化的人，有两个是可以接受的估计方式。一。就是上述计算式子，对于结晶性很好的材料用这个计算的结果比较可信。二。用起始吸收波长计算带隙。这个对于结晶性不是很好，和湿化学方法合成的样品比较好。我两种方法都用过，也都被接收了。你可以试着采用第二种方法。 如果你的是吸收边加拖尾的吸收谱的话，还不如说是缺陷能级呢。如果是吸收边的水平移动那倒是可以考虑是带隙变窄。 至于怎么精确地分析吸收谱与带隙的关系，还没有很好的办法。用上面的办法就是大概估计一下。 |
4楼2009-05-05 16:38:58
5楼2009-05-08 08:49:14
baroncq
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zhli2007hn(金币+2,VIP+0):谢了 5-23 19:06
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一般的化学掺杂形成的基本上是在价带上方形成局域态或杂质能级，是无法使半导体的本征禁带宽度变窄的，而用离子注入可使半导体禁带宽度变窄。这可从漫反射吸收光谱中看出，禁带宽度窄化表现为整个吸收边的红移，而局域态或杂质能级只有一个拖尾吸收边。楼主可以看看这篇文章 M. Anpo, M. Takeuchi。The design and development of highly reactive titanium oxide photocatalysts operating under visible light irradiation。 Journal of Catalysis 216 (2003) 505–516 |
6楼2009-05-08 09:26:38
stred
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7楼2009-05-08 10:32:34
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