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super7

木虫 (著名写手)

[交流] 【讨论】MS能否模拟晶体的生成?

一般的晶体的生长往往是有方向性的,也就是容易沿某一方向生长,通过参杂后可以改变方向性的成长趋势。MS中的哪个模块适合研究这类问题?
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Julie9563

木虫 (小有名气)

呵呵,期待中
Iamlookingforwardto......
2楼2009-06-03 16:02:00
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giep2008

木虫 (著名写手)

这个问题比较复杂吧,呵呵
3楼2009-06-03 16:31:30
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wenmenkui

金虫 (正式写手)

属于晶体的,不知道用castep行不行
4楼2009-06-03 18:26:24
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fuzp

铁杆木虫 (正式写手)

★ ★
qasd(金币+2,VIP+0):谢谢~ 6-3 22:47
生长的择优性是和表面能相关的,一般表面能高的面容易消失,你可以算一下每个面的表面能,掺杂对表面能的影响。当然实际生长中,情况会很复杂,比如表面吸附了某些基团后表面能会变化很大。用castep或Dmol3都可以算表面能吧。
5楼2009-06-03 22:25:38
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super7

木虫 (著名写手)

多谢fuzp的回答!
6楼2009-06-04 08:11:53
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chenaihua

银虫 (小有名气)


zdhlover(金币+1,VIP+0):谢谢,欢迎常来 6-5 00:44
可以用castep进行计算,将晶体画出不同的表面,再计算各个表面的表面能,看晶体比较容易沿哪个表面生长。以前做过FeZn13的生长的
7楼2009-06-05 16:25:13
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