| 查看: 627 | 回复: 0 | ||
[求助]
ATK中缺陷对于纳米器件的影响到底是什么机制？
|
| ATK计算纳米尺度器件含有缺陷时候的电流输运，一般都是根据透射谱进行解释的，对于透射谱之下还有没有更深层次的物理机制？比如说实验中竟然观察到的弱局域化作用，或者强局域化作用，但是对于弱局域化到强局域化会出现电导随温度由对数型向指数型转变的过程，而ATK中改变温度计算电导基本没什么变化，那电流的改变本质上只来源于结构的改变？？？有大佬指点一下吗？感觉不是很明白了。。。 |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
