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如何用VASP优化二维材料结构
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一般来说,二维材料会有一个非常大的真空层作为z轴,而VASP的ISIF参数常用的有3个,ISIF=2表示不动晶格只优化原子位置,ISIF=3表示晶格,体积与原子位置都优化,而ISIF=4表示晶格与原子位置优化,体积不发生变化。 二维材料比如说从实验的范德华式的层状材料剥离出来,因此需要优化原子位置与晶格参数,请问各位虫友都是怎么样解决这个问题,我所了解的至少有以下方案: 1. 使用ISIF=3优化,在PBE+D3泛函下,我发现真空层会减少很多,甚至直接减少到零,然后报错。精度不是很高的情况下(10e-5 eV与 0.005 eV/A)能够优化出结果。 2. 使用ISIF=4优化,基本上由于体积限制真空层不会变化太多,然后对于优化后的平衡晶格常数进行0.5% 1%的拉伸,画出E-V曲线,找到能量最低点。 3. 使用ISIF=3优化,但是重新编译VASP,使得其只改变xy平面内的参数,z轴真空层能够保持不变,z轴也始终与xy平面垂直。或许先粗糙再精确的收敛条件能够得到比较好的结果。 不知各位是怎么看的?二维材料也是比较热的材料体系,还是想拿到一个尽可能精确的结构! |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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好的,多谢。突然想到那楼主说的方法2中第一部先用 ISLF=4优化得到一个较准确的结构后一步对得到的结构改用ISLF=2,然后手动改晶格常数进行微凉的拉伸过挤压是否也可行。 发自小木虫Android客户端 |
26楼2018-11-11 10:47:36
7楼2018-11-02 06:40:07
简单回复
2018-11-02 06:54
回复
zhl12100810楼
2018-11-02 06:59
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suiwinder11楼
2018-11-02 07:07
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hstommy(金币+1): 谢谢参与
支持 发自小木虫IOS客户端
Wq一路向北13楼
2018-11-02 12:34
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一般来说,二维材料会有一个非常大的真空层作为z轴,而VASP的ISIF参数常用的有3个,ISIF=2表示不动晶格只优化原子位置,ISIF=3表示晶格,体积与原子位置都优化,而ISIF=4表示晶格与原子位置优化,体积不发生变化。
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