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如何用VASP优化二维材料结构
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一般来说,二维材料会有一个非常大的真空层作为z轴,而VASP的ISIF参数常用的有3个,ISIF=2表示不动晶格只优化原子位置,ISIF=3表示晶格,体积与原子位置都优化,而ISIF=4表示晶格与原子位置优化,体积不发生变化。 二维材料比如说从实验的范德华式的层状材料剥离出来,因此需要优化原子位置与晶格参数,请问各位虫友都是怎么样解决这个问题,我所了解的至少有以下方案: 1. 使用ISIF=3优化,在PBE+D3泛函下,我发现真空层会减少很多,甚至直接减少到零,然后报错。精度不是很高的情况下(10e-5 eV与 0.005 eV/A)能够优化出结果。 2. 使用ISIF=4优化,基本上由于体积限制真空层不会变化太多,然后对于优化后的平衡晶格常数进行0.5% 1%的拉伸,画出E-V曲线,找到能量最低点。 3. 使用ISIF=3优化,但是重新编译VASP,使得其只改变xy平面内的参数,z轴真空层能够保持不变,z轴也始终与xy平面垂直。或许先粗糙再精确的收敛条件能够得到比较好的结果。 不知各位是怎么看的?二维材料也是比较热的材料体系,还是想拿到一个尽可能精确的结构! |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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好的,意思就是说我用侯老师教程里地那个脚本改变晶格缩放系数优化单层MoS2也是适用的,但优化二维的材料c方向不应该固定的吗? 发自小木虫Android客户端 |
24楼2018-11-10 22:16:30
7楼2018-11-02 06:40:07
简单回复
2018-11-02 06:54
回复
zhl12100810楼
2018-11-02 06:59
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suiwinder11楼
2018-11-02 07:07
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hstommy(金币+1): 谢谢参与
支持 发自小木虫IOS客户端
Wq一路向北13楼
2018-11-02 12:34
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一般来说,二维材料会有一个非常大的真空层作为z轴,而VASP的ISIF参数常用的有3个,ISIF=2表示不动晶格只优化原子位置,ISIF=3表示晶格,体积与原子位置都优化,而ISIF=4表示晶格与原子位置优化,体积不发生变化。
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