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hstommy

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[交流] 如何用VASP优化二维材料结构

一般来说,二维材料会有一个非常大的真空层作为z轴,而VASP的ISIF参数常用的有3个,ISIF=2表示不动晶格只优化原子位置,ISIF=3表示晶格,体积与原子位置都优化,而ISIF=4表示晶格与原子位置优化,体积不发生变化。
二维材料比如说从实验的范德华式的层状材料剥离出来,因此需要优化原子位置与晶格参数,请问各位虫友都是怎么样解决这个问题,我所了解的至少有以下方案:
1. 使用ISIF=3优化,在PBE+D3泛函下,我发现真空层会减少很多,甚至直接减少到零,然后报错。精度不是很高的情况下(10e-5 eV与 0.005 eV/A)能够优化出结果。
2. 使用ISIF=4优化,基本上由于体积限制真空层不会变化太多,然后对于优化后的平衡晶格常数进行0.5% 1%的拉伸,画出E-V曲线,找到能量最低点。
3. 使用ISIF=3优化,但是重新编译VASP,使得其只改变xy平面内的参数,z轴真空层能够保持不变,z轴也始终与xy平面垂直。或许先粗糙再精确的收敛条件能够得到比较好的结果。
不知各位是怎么看的?二维材料也是比较热的材料体系,还是想拿到一个尽可能精确的结构!
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852366016

金虫 (正式写手)


引用回帖:
20楼: Originally posted by 小虫虫LG at 2018-11-09 11:32:33
我觉得3不只是正交吧?
手动优化你说的对...

好,多谢。

发自小木虫Android客户端
21楼2018-11-09 12:54:15
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598878157

版主 (文学泰斗)



hstommy(金币+1): 谢谢参与
7楼2018-11-02 06:40:07
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dongmings8楼
2018-11-02 06:54   回复  
hstommy(金币+1): 谢谢参与
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zhl12100810楼
2018-11-02 06:59   回复  
hstommy(金币+1): 谢谢参与
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suiwinder11楼
2018-11-02 07:07   回复  
hstommy(金币+1): 谢谢参与
支持 发自小木虫IOS客户端
2018-11-02 12:34   回复  
hstommy(金币+1): 谢谢参与
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