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电子从价带被激发至导带是否破坏了共价键
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最近看到采用激光剥离GaN基外延片的蓝宝石衬底的原理，有几个问题想请教各位大虫子：使用光子能量大于GaN且小于蓝宝石的激光辐照蓝宝石衬底，激光会射过蓝宝石衬底，被GaN吸收，在蓝宝石衬底与GaN界面处发生热分解，最后蓝宝石衬底脱落。有几个问题不大明白。 1、使用光子能量大于半导体禁带宽度的激光照射GaN，在GaN材料上产生电子和空穴对，是否意味着破坏了GaN的共价键，将电子从价带激发至导带？而GaN的禁带宽度3.4eV而共价键的键能8.9eV，光子能量大于3.4eV并不足以破坏GaN的共价键 2、激光照射到GaN材料，如何实现从光能向热能的转换？ |
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