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【请教】由UV-vis求算能带隙宽度
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两个问题： 1、紫外可见吸收光谱和紫外可见漫反射光谱有什么不同？是不是求算能带隙的时候必须用紫外可见漫反射？ 2、我看有虫子回复是使用公式进行求算的。具体怎么求算呢？谢谢！ [ Last edited by ufoer on 2009-4-2 at 20:38 ] |
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tiankong1985
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bio-polymer(金币+3,VIP+0):积极回复，谢谢！ 4-2 16:51
zhoukoulk(金币+5,VIP+0):谢谢您的帮助！ 4-2 20:33
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紫外-可见光谱是探测半导体能带结构的最直接简便的方法,根据紫外-可见吸收边可以推算半导体的能带宽度。VO2（B）纳米线的本征吸收是间接跃迁过程,其本征吸收的吸收系数α与光子能量有如下关系: α(hv)hv∝(hv-Eg)2 其中α(hv)为VO2（B）纳米线的吸光系数,由于其正比于吸光度A,为hv的函数,故而吸光度A亦可表示为A(hv)。如果用T表示透射率,它们的关系为:A=lg1/T,故[lg1/Thv]∝(hv-Eg)2,处理数据,换算单位,将[A(hv)hv]～hv直线延长至X轴,截距即是其禁带宽度Eg |
4楼2009-04-02 16:17:21
5楼2009-04-02 20:34:31