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vanhalen76金虫 (正式写手)
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翻译摘要 急 急！！我给一些专业单词 以供大家好翻 谢谢！
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本文首先在了解单晶生产工艺和原理的基础上，分别确定它们在轴向和径向的分布规律，进一步分析其分布规律产生的原因及各项影响因素接下来通过试验的方法达到控制含量的方法，从两个方面进行实验，一个是改变生产设备的设计，如单晶炉内的氩气走向、热场尺寸及所用器件的材料等几个条件；另一个是工艺参数的改变，如氩气流量、投料量、晶体旋转速度和坩埚旋转速度（以下简称晶转埚转）。 实验结果表明： （1）单晶炉氩气走向设计采用上走气能有效的带走挥发的SiO、CO等杂质，使间隙氧原子含量减小2ppm，代位碳原子含量降低近2ppm； （2）小尺寸热场的温度分布有助于晶体的生长，碳氧含量降低1ppm； （3）坩埚应采用高质量高纯度材料，以减少单晶中杂质的融入，但在实际生产过程中还需考虑综合成本； （4）采用40L/min的氩气流量，其杂质含量明显低于35L/min，而投料量为75kg或60kg，碳氧含量的变化并不明显； （5）晶体和坩埚的旋转速度能显著影响热场中的温度分布梯度； 然后根据上述实验数据对热系统进行改造，减小加热器尺寸，增大了熔体的纵向温度梯度，熔体热对流程度减小；将Ar流向下走气改为上走气，减小了挥发物的融入，在改进型热系统中生长的硅单晶，头部氧含量控制在10×1017atoms/㎝3以下，尾部碳含量控制在1.5×1017 atoms/㎝3以下，而且还减少了热系统的能耗，起到了节能降耗的效果。最终能够达到降低碳含量，控制氧含量的目的，为硅片的太阳能转化效率作出贡献。 晶体旋转速度 the speed of crystal rotation 坩埚旋转速度 the speed of crucible rotation 热系统 thermal systems 硅片 wafer 直拉单晶硅 CZsi 改进型热系统 The improving thermal system |
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