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aszhu

新虫 (小有名气)

[求助] 审稿人意见何解已有1人参与

投稿一篇文章:MoS2的金属相,半导体相组合在一起,掺杂其他原子,掺杂院子在两相的界面上。用第一性原理计算说明实验看到的结构是稳定的,从电荷密度说明这个结构稳定。审稿人提出要从态密度来分析结构的稳定性(比较掺杂和没有掺杂、掺杂不分布在界面上作比较),
并建议“The authors should clearly state the energy minimization mechanism predicted by DFT”
审稿人这什么意思,我要算界面的形成能或结合能吗?

希望大牛们赐教,非常感谢!
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YoungNann

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
aszhu: 金币+10, 有帮助, 谢谢了,我再研究研究 2018-07-11 11:57:28
不是很懂哈,个人感觉是不是审稿人想让你补一下导致能量最低的原因的数据,比如试样和其他样品的能量对比,或者结合电荷分布或者层间距离之类的阐明结构稳定。
2楼2018-07-07 16:58:18
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aszhu

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by YoungNann at 2018-07-07 16:58:18
不是很懂哈,个人感觉是不是审稿人想让你补一下导致能量最低的原因的数据,比如试样和其他样品的能量对比,或者结合电荷分布或者层间距离之类的阐明结构稳定。

谢谢虫友
我文中从电荷分布分析了结构稳定的原因,审稿人认为不能从电荷分布分析,让我们从 态密度分布 结构的稳定性。
我计算了结构的 形成能,我们得到的结构的形成能较其他结构要低,但数值很大没达到几十个eV,

至于从态密度来分析,我们得到的结构的态密度,在费米面附近的态密度的峰值要 大于其他结构,参考相关文献,有观点认为“态密度最大峰值对应的能量最低,即在能量低区域分布的核外电子数较少,结构稳定”

难道先给出界面的形成能,在加入上面的几句话?不知道行不行
3楼2018-07-09 09:50:30
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蛋蛋小童鞋

版主 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by aszhu at 2018-07-09 09:50:30
谢谢虫友
我文中从电荷分布分析了结构稳定的原因,审稿人认为不能从电荷分布分析,让我们从 态密度分布 结构的稳定性。
我计算了结构的 形成能,我们得到的结构的形成能较其他结构要低,但数值很大没达到几十个e ...

有相应文献吗?可不可以给出来相关文献
愿不负最苦的时光
4楼2018-07-16 21:52:03
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aszhu

新虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 蛋蛋小童鞋 at 2018-07-16 21:52:03
有相应文献吗?可不可以给出来相关文献...

文章已修投出,等待二审。
谢谢虫友
5楼2018-07-17 08:34:37
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