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审稿人意见何解 已有1人参与
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投稿一篇文章：MoS2的金属相，半导体相组合在一起，掺杂其他原子，掺杂院子在两相的界面上。用第一性原理计算说明实验看到的结构是稳定的，从电荷密度说明这个结构稳定。审稿人提出要从态密度来分析结构的稳定性（比较掺杂和没有掺杂、掺杂不分布在界面上作比较）， 并建议“The authors should clearly state the energy minimization mechanism predicted by DFT” 审稿人这什么意思，我要算界面的形成能或结合能吗？ 希望大牛们赐教，非常感谢！ |
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