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【请教】请教半导体材料的本征载流子浓度问题
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最近要模拟材料特性，需要用到硫化镉薄膜的本征载流子浓度，但遍查文献也找不到确切数据。采用半导体物理上计算本征载流子的公式，计算发现室温下硫化镉的本征载流子浓度ni竟然只有10 的-2次方，也就是说每立方厘米中只有0.01个电子，这也太离谱了吧？到底是公式错误还是真的这么小，希望各位虫子不吝赐教。谢谢大家。 [ Last edited by lonqiao on 2009-3-28 at 16:47 ] |
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