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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » [求助]Si掺杂AlN的应用
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程伟686

[交流] [求助]Si掺杂AlN的应用

求，Si掺杂AlN的应用
我是用castep模拟的Si掺杂AlN体系，出现了一下问题，请朋友们帮忙解决！

Si掺杂AlN后是n型掺杂，费米面插在导带中间，这表明发生了莫特相变，由半导体转化成了金属。我想了解一下，这发生的莫特相变对光电器件应用来说有什么影响？

还有就是掺杂之后在2ev能量处，即可见光区有了新的吸收，这改善了系统在可见光区的吸收特性，结合前面的金属特性，有什么意义，对器件应用造成什么影响？

大家可以解释讨论一下吗？

有关于Si掺杂AlN. 和AlN掺杂Mg等p型掺杂的文章直接分享一下吗？谢谢！
为了答谢大家的帮助，会适当发送金币，谢谢！
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1楼 2009-03-26 15:15:15
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vbaov

木虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):谢谢 3-26 20:44
程伟686(金币+2,VIP+0):谢谢 3-27 10:48
通过掺杂使其能隙变小，从而使处于价带能量以下电子容易在光子的作用下被激发，这必然促进在光电转化方面的应用！关于具体的你可以查一查文献！如果不是从事这个领域的人是很难回答你这个问题的！
赞一下(12人) 回复此楼
2楼2009-03-26 19:30:52
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