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liuxixian521

新虫 (小有名气)

[求助] 深硅刻蚀工艺求助已有1人参与

各位大神好!实验室新买的ICP刻蚀机做不了BOSCH工艺,背氦的冷却能力也只能到15℃左右,如何实现高深宽比的深硅刻蚀,并且刻蚀速度较快?
实验室现有气体(SF6、C4F8、O2/Ar、N2)
注:本人尝试过伪BOSCH工艺(同时通入SF6和C4F8),但刻蚀速度太慢,只能达到0.26um/min.
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

对了,你现在用什么胶做的掩膜?如果一直刻的话,垂直度会怎样?
站内发信给我吧,回复经常收不到提醒。
3楼2018-05-31 12:57:44
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普通回帖

yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
不能设定循环?谁家的ICP啊?
如果不能做钝化的话,深硅刻蚀就不能保证了。
建议直接求助设备厂家吧。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2018-05-31 12:56:41
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liuxixian521

新虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2018-05-31 12:56:41
不能设定循环?谁家的ICP啊?
如果不能做钝化的话,深硅刻蚀就不能保证了。
建议直接求助设备厂家吧。

谢谢了,是台湾崇文科技有限责任公司
4楼2018-05-31 14:11:25
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