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关于使用vasp单层mos2迁移率的若干问题
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各位前辈好，我是一只刚开始进行材料计算不久的新虫，老板要求计算二维材料的迁移率，目前是计算单层mos2的迁移率，由于实验室并未有做第一性原理计算的师兄存在，所以一切都得靠自己摸索，经过两个多月的学习，我积累了很多的问题，希望得到大家的解答 1.在ms中导出模型3x3x1超胞问题。从ms中调出mos2结构之后，是先进行切割成单层建立真空层，再构建3x3x1的超胞问题。从ms中调出mos2结构之后，是先进行切割成单层建立真空层，再构建3x3x1的超胞，还是先形成3x3x1的超胞优化后再切割出单层3x3x1的mos2 2.二维材料结构优化时，ISIF选择问题。看前辈们的帖子都推荐二维材料结构优化用ISIF=2,但是这里我有个问题，ISIF=2时，晶格参数时不会变的，变的只是原子的位置，然而实际上我们优化时候其实需要的时z方向的晶格参数保持不变，ab方向的需要变动以得到最优结构，如何实现？ 3.POTIM参数设置问题，POTIM是与结构优化相关的参数，然而我发现很多教程里POTIM出现在静态计算和能带计算中，如何解答 4.在计算能带时，我发现，当我进行静态计算时候将ALGO设置为Fast，计算成功后，后面非自洽时候无论将ALGO设置成什么都会报错，然而当我将静态计算时候的ALGO设置成Demped时候，后面的能带计算用ALGO =Demped 就可以成功计算出能带，请问静态计算的算法和非自洽计算的算法有什么关联吗？ 5.计算弹性常数时，到底是使用帅志刚老师论文中的公式，还是直接使用ISIF=3,IBRION=6，有何不同 6.计算DP常数。按照DP常数的公式,Ek是带边的能量，当晶格常数改变时候，Ek所对应的能带是否发生了转移，即不再是边缘能带 感谢各位前辈的指导  @beefly@月只蓝 |
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