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IOEqizu

银虫 (正式写手)

[求助] ALD咨询 已有1人参与

ALD可以用来生长SiNx吗?生长条件如何?如温度?最后一般沉积速率如何?

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gaoxd1610

新虫 (正式写手)

2楼2018-05-12 19:18:56
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光棍9527

新虫 (小有名气)

可以长氮化硅薄膜的,需要用等离子体氨气或氮气,生长温度200℃左右,沉积速率0.05nm/cycle

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3楼2018-05-15 21:51:19
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gaosong08

铜虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 光棍9527 at 2018-05-15 21:51:19
可以长氮化硅薄膜的,需要用等离子体氨气或氮气,生长温度200℃左右,沉积速率0.05nm/cycle

氮源采用氨气或者氮气,硅源是什么呢?请教下
4楼2020-05-22 15:41:30
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