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[求助] 关于LCVD石墨烯制备的问题

本人最近在实验室尝试LCVD方法制备石墨烯，看到有一篇参考文献《Fast growth of graphene patterns by laser direct writing》是2011年J.B.Park团队的，讲的是利用激光在镍箔上制备石墨烯。其中主要参数是：激光功率 5W; 实验压强500Torr; 光斑移动速率低于50μm/s;甲烷流量10sccm,氢气5sccm。最后成功制备出石墨烯带。

自己实验室有一台3W的532nm激光器，气体流量和实验压强都能满足文献参数，光斑移动速率20μm/s，唯一的区别是我自己用的是铜箔（因为比镍便宜），对铜进行化学处理（过硫酸铵+无水乙醇+超纯水+氮气干燥）,但是实际制备过程中发现光斑移动之后铜箔上什么痕迹也没有，更别提石墨烯了……

不是很清楚难道激光功率的影响会有这么大吗？我是考虑移动速率尽量慢来弥补功率低造成的加热不足，或者可能是我思路不对吧，希望有研究过石墨烯制备，特别是气相沉积或者激光气相沉积的朋友能提供点改进思路。

PS：原作者文献已经作为附件上传

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附件 1 : fast_growth_of_graphene_patterns_by_laser_direct_writing.pdf

2018-05-07 22:20:58, 1.77 M