| 查看: 1997 | 回复: 1 | ||
[求助]
silvaco
|
|
silvaco小白 求大神指点 在用Athena工艺仿真时出现photoresist has not been exposed 光刻胶没有被曝光 该怎么解 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
计算机、0854电子信息（085401-058412）调剂
已经有5人回复
-
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？
已经有13人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有3人回复
-
Materials Today Chemistry审稿周期
已经有5人回复
-
溴的反应液脱色
已经有7人回复
-
推荐一本书
已经有12人回复
-
基金申报
已经有4人回复
-
纳米粒子粒径的测量
已经有7人回复
-
常年博士招收(双一流，工科)
已经有4人回复
-
有没有人能给点建议
已经有5人回复
|
下面是程序go athena line x loc=-2 spac=0.2 line x loc=0 spac=0.8 line x loc=20 spac=0.8 line x loc=22 spac=0.2 line y loc=0.3 spac=0.01 line y loc=0.68 spac=0.1 line y loc=1.18 spac=0.1 init silicon c.boron=1e15 thick=0.5 orientation=100 deposit oxide thick=0.38 divisions=19 ydy=0.02 deposit silicon thick=0.3 divisions=10 ydy=0.01 illumination i.line lambda=0.4 #光源为i线 illum.filter clear.fil circle sigma=0.38 transmit=0.1 #重置滤波列表圆形滤波参数透射率 projection na=.54 pupil.filter clear.fil circle # layout x.lo=0 z.lo=0 x.hi=24 z.hi=1 image clear win.x.lo=-2 win.z.lo=0 win.x.hi=0 win.z.hi=1 dx=-1 one.d structure outfile=imal.str intensity mask init silicon orient 100 c.boron=1e15 two.d deposit nitride thick=0.02 div=5 deposit name.resist=OiR897i thick=0.5 divisions=10 rate.dev name.resist=OiR897i i.line c.dill=0.016 expose dose=240.0 num.refl=20 bake time=30 temp=100 develop kim time=50 steps=5 etch nitride thick=0.02 implant boron energy=5.7 dose=1e20 tilt=7 pears s.ox=0.001 etch name.resist=OiR897i all etch nitride all # save outfile=dif4.str tonyplot dif4.str 发自小木虫Android客户端 |
2楼2018-04-03 21:21:59