24小时热门版块排行榜

返回列表

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

门前清

木虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 1963.8
帖子: 97
在线: 35.8小时
虫号: 1890807
注册: 2012-07-13
性别: GG
专业: 电化学

[交流] 拉曼表征问题探讨

想和大神交流下关于拉曼表征的问题。有高人在的话，还望多多指导。
首先，在拉曼表征中有一个半高宽的概念，这个据我了解，应该是和结晶度，缺陷，掺杂，晶粒尺寸都有一定的关系，但至今没有确定，也没有找到相关文献，希有没有大神愿意交流和解惑的？
第二，有了半高宽，那么相应的就有峰宽，有些材料在表征的时候会出现峰比较宽的情况，这种除了说明无序度比较高之外还能说明什么？是否有关于峰宽和无序度的文献？
第三，理论上来说ID/IG值越大说明缺陷越多，相应的越小则缺陷越少。比如一个掺杂的碳材料，当进行掺杂时，是否会出现ID/IG减小的情况，毕竟掺杂后填补了缺陷位置（个人认为），如果出现ID/IG减小的情况，有文献说明吗？自己看到有两篇，一篇就说了修饰成功。一篇做了增加缺陷后导致ID/IG增大，反证应该可以说明ID/IG减小会成功掺杂（依然是个人认为）。同样是否有这方面的文献做过研究。
最后，比如碳材料的D和G的出峰位置是基本固定的，但会有一定的偏移，如果是共同正移，或者负移能说明什么？另外，如果D和G的峰位置差值减小或者增大又能说明什么？是否有文献做过这方面研究。这个问题有点困惑。当然不知道这样提这个问题是否正确，如果错误，还望大神见谅。
小弟这方便做的比较少，了解的不够深入，如有说的不合适的地方还请指出。

回复此楼