关于合成Co3O4纳米线的疑问 - 微米和纳米 - 合成表征

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1楼 2018-03-27 15:29:53

已阅关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

爱吃汤圆

新虫 (小有名气)

应助: 1 (幼儿园)
金币: 367
红花: 11
帖子: 128
在线: 34.5小时
虫号: 8250366
注册: 2018-03-13
专业: 无机材料化学

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

恐怕是阴离子的缘故。这个反应里没见到模板剂，而且反应温度很低，应该靠的是氢氧化钴自身的各向异性生长为一维纳米材料。而氢氧化钴本身的各向异性印象里不是那么强烈，推测反应是利用了氢氧根离子对氢氧化钴不同晶面的选择性吸附改变了表面能。否则为啥不用高温水热呢，晶化还好。。。（更高的温度对晶面的选择性会起到拉平作用）以上都是瞎猜，手机没法查文献