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xiaomayijia

新虫 (小有名气)

[求助] 半导体带隙计算问题

我知道是用这个公式(αhv)2=B(hv-Eg)对UV-vis DRS获得的谱图数据进行带隙计算,但我不确定这个吸收系数是怎么得到的?有看到过α=(1/d)A,d为薄膜厚度,不知道这个所谓的薄膜厚度是指做紫外时候粉末的厚度吗?还有我的UV-vis图的曲线基本是水平的,并没有常见的明显的吸收边界,是不是用这个公式(αhv)2=B(hv-Eg)作图本身就不合适呢?请大神指教,这个问题困扰我好久了
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牛牛爱化学

新虫 (小有名气)

其实带隙计算很简单,横坐标用1240除以波长,纵坐标等于横坐标乘以吸光度然后1/2次方或者平方。

发自小木虫Android客户端
2楼2018-03-25 00:01:18
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xiaomayijia

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 牛牛爱化学 at 2018-03-25 00:01:18
其实带隙计算很简单,横坐标用1240除以波长,纵坐标等于横坐标乘以吸光度然后1/2次方或者平方。

意思就是吸光系数等于吸光度?直接用吸光度的值带进去做纵坐标?

发自小木虫IOS客户端
3楼2018-03-25 11:37:06
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shanghaillq

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 牛牛爱化学 at 2018-03-25 00:01:18
其实带隙计算很简单,横坐标用1240除以波长,纵坐标等于横坐标乘以吸光度然后1/2次方或者平方。

精辟
4楼2019-10-28 15:59:27
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vividzai

铁杆木虫 (著名写手)

我用这种方法算Si的,用的是间接带隙1/2,为什么算出来差距比较大呀,求助
get the knowledge
5楼2020-08-03 22:12:54
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