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xinzhi22jiang金虫 (正式写手)
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求助：pn结问题！
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| 请问各位重又：是否将n型半导体和p型半导体复合在一起就可以形成pn结？比如说：TiO2和Cu2O可以形成pn结吗？ 与它们各自的价带和能带是否有关系？谢谢！ |
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 N-P型半导体 |
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wdoasis
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hxj6021(金币+3,VIP+0):谢谢你详尽的回答 3-16 08:14
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N型半导体： v族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。它释放电子的过程叫做施主电离。施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后成为正电中心，称为离化态。 在纯净半导体中掺入施主杂质，杂质电离以后，导带中的导电电子增多，增强了半导体的导电能力。通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。 P型半导体： Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心。所以称它们为受主杂质或p型杂质。空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。受主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后成为负电中心，称为受主离化态。 在纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。通常把主要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中和掉，使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电荷区（耗尽层）。由于P区一侧带负电，N区一侧带正电，所以出现了方向由N区指向P区的内电场 当扩散和漂移运动达到平衡后，空间电荷区的宽度和内电场电位就相对稳定下来。此时，有多少个多子扩散到对方，就有多少个少子从对方飘移过来，二者产生的电流大小相等，方向相反。因此，在相对平衡时，流过PN结的电流为0。 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。由于耗尽层的存在，PN结的电阻很大。 PN结的形成过程中的两种运动：多数载流子扩散少数载流子飘移 |
2楼2009-03-16 04:37:13
xinzhi22jiang
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7楼2009-03-17 08:48:12