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xinzhi22jiang金虫 (正式写手)
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[交流]
【请教】pn结问题!
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请问:是否将n型半导体和p型半导体复合在一起就可以形成pn结?与它们各自的价带和能带是否有关系?谢谢!比如说:TiO2和Cu2O可以形成pn结吗? [ Last edited by ufoer on 2009-3-16 at 02:46 ] |
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doha
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bio-polymer(金币+5,VIP+0):积极回复,谢谢!欢迎新虫 3-16 08:11
ufoer(金币+0,VIP+0):基本原理讲得透彻,但是没有回答问题啊 3-16 10:54
bio-polymer(金币+5,VIP+0):积极回复,谢谢!欢迎新虫 3-16 08:11
ufoer(金币+0,VIP+0):基本原理讲得透彻,但是没有回答问题啊 3-16 10:54
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N型半导体: v族杂质在硅、锗中电离时,能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。它释放电子的过程叫做施主电离。施主杂质未电离时是中性的,称为束缚态或中性态,电离后成为正电中心,称为离化态。 在纯净半导体中掺入施主杂质,杂质电离以后,导带中的导电电子增多,增强了半导体的导电能力。通常把主要依靠导带电子导电的半导体称为电子型或n型半导体。 P型半导体: Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心。所以称它们为受主杂质或p型杂质。空穴挣脱受主杂质束缚的过程称为受主电离。受主杂质未电离时是中性的,称为束缚态或中性态,电离后成为负电中心,称为受主离化态。 在纯净半导体中掺入受主杂质后,受主杂质电离,使价带中的导电空穴增多,增强了半导体的导电能力。通常把主要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中和掉,使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电荷区(耗尽层)。由于P区一侧带负电,N区一侧带正电,所以出现了方向由N区指向P区的内电场 当扩散和漂移运动达到平衡后,空间电荷区的宽度和内电场电位就相对稳定下来。此时,有多少个多子扩散到对方,就有多少个少子从对方飘移过来,二者产生的电流大小相等,方向相反。因此,在相对平衡时,流过PN结的电流为0。 对于P型半导体和N型半导体结合面,离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。由于耗尽层的存在,PN结的电阻很大。 PN结的形成过程中的两种运动:多数载流子扩散少数载流子飘移 |

2楼2009-03-16 04:37:48
4楼2009-03-16 08:53:15
xinzhi22jiang
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5楼2009-03-16 09:48:16













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