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zz277211

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小红豆

主管区长 (知名作家)



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对于强关联体系,往往需要在密度泛函理论中加入一个HUBBARD模型中的院子占据位(on site)库伦排斥项,这就是我们所说的DFT+U(或者说LDA+U)方法。
DFT+U提出的背景是传统的密度泛函理论计算不能成功的应用到Mott绝缘体体系。我们知道电子从一个原子位跳到另一个原子位时,如果那个原子位已经有一个电子,那么这种跳跃需要克服一个库伦相互作用。如果这个能量比能带宽度大的话,尽管能带没有全满,电子也不能自由运输,系统表现绝缘性质。我们称这种绝缘体为Mott绝缘体。强关联Mott绝缘体体系可以由Hubbard紧束缚模型很好的描述,在Hubbard模型中通过一个Hubbard参数U来描述这种库伦排斥。
下面是英文解释(摘自另一PDF)
Two quantities are to be considered:
U  “on site” electron-electron repulsion
W  bandwidth (hopping amplitude, related to kinetic energy)
Two different regimes:
W/U>>1: the energy is minimized making the kinetic term as small as possible through delocalization (little price is paid on the occupied atomic sites to overcome repulsion U)
W/U<<1: the kinetic energy of electrons is not large enough to overcome the on-site repulsion. Electrons undergo a Mott localization
LDA/GGA approximations to DFT always tend to over-delocalize electrons:
U is not well accounted for
Electronic energy functionals are affected by selt-interaction
14楼2018-03-12 21:34:20
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zz277211

新虫 (著名写手)


11楼2018-03-12 15:31:01
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小红豆

主管区长 (知名作家)


Hubbard模 型:除能带论(平均场理论)描述的巡游电子项(第一项)外,它还考虑了两个 电子处于同一点阵原子时的库仓排斥能(泡利不相容,自旋贡献);这一项对金属—绝缘相变起关键作用: 当它很大时, 会阻碍电子在固体中的传播,金属就变成绝缘体。因此,电子在格点之间的转移矩阵和电子在格点上受到的库能斥力U的强度的竞争,决定了固体的导电性:U弱为金属,U强为绝缘体。
15楼2018-03-12 21:35:42
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