| 查看: 774 | 回复: 2 | |||
[交流]
HEMT栅介质制备工艺请教 已有1人参与
|
|
题主在做高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)器件方向，想请教一下为什么很少用PVD(如磁控溅射)沉积金属氧化物作为栅介质？ 主要从薄膜致密性还有对GaN二维电子气的损伤方面考虑吗？ 另外，一般而言化学沉积(如PECVD)等工艺沉积的薄膜致密性会比PVD的要好，缺陷要少，这种说法是否正确？ 请前辈们指教。 |
回复此楼» 猜你喜欢
核磁分析软件MestReNova打开文件时报错
已经有0人回复
-
在职博后不能申请博后基金了，那么在职博后意义何在？
已经有2人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有96人回复
-
青岛大学化学化工学院分子测量学研究院2026年招收博士研究生
已经有0人回复
-
香港科技大学（广州）诚招电催化方向博士生（2026秋入学）
已经有0人回复
-
临港国家实验室与上科大联合培养博士2026招生一名
已经有0人回复
-
想读985的博 没有地域要求 求推荐 求收留 一作SCI×4
已经有1人回复
-
法国斯特拉斯堡大学招CSC攻读博士-超分子化学、高分子科学和有机化学合成背景
已经有0人回复
-
求助Cu2+1O的CIF文件(PDF: 05-0667)
已经有1人回复
2楼2018-03-16 17:52:19
3楼2018-08-03 11:46:01