| 查看: 789 | 回复: 2 | |||
[交流]
HEMT栅介质制备工艺请教 已有1人参与
|
|
题主在做高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)器件方向，想请教一下为什么很少用PVD(如磁控溅射)沉积金属氧化物作为栅介质？ 主要从薄膜致密性还有对GaN二维电子气的损伤方面考虑吗？ 另外，一般而言化学沉积(如PECVD)等工艺沉积的薄膜致密性会比PVD的要好，缺陷要少，这种说法是否正确？ 请前辈们指教。 |
回复此楼» 猜你喜欢
吉林大学招收硕转博考核硕士研究生
已经有1人回复
-
上海第二工业大学2026年工作人员招聘公告
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有94人回复
-
闽江学院2026年人才招聘公告
已经有0人回复
-
荷兰奈梅亨大学赵文博与Galimberti课题组招收理论计算CSC博士 2000 欧元/月+房补
已经有0人回复
-
26储能博士申请自荐
已经有22人回复
-
国家级领军人才团队超支化聚合物方向2026年博士研究生招生
已经有15人回复
-
上海交通大学--宁波东方理工大学电池方向博士招生
已经有10人回复
-
海南大学全国重点实验室杨金霖老师招收储能电池方向博士生（2026年3月报名，9月入学）
已经有1人回复
-
海南师范大学2026年博士研究生招收 (在职想提升学历人员可报考) 申请考核制+普通招考
已经有0人回复
-
招收化学博士研究生
已经有0人回复
2楼2018-03-16 17:52:19
3楼2018-08-03 11:46:01