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HEMT栅介质制备工艺请教 已有1人参与
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题主在做高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)器件方向，想请教一下为什么很少用PVD(如磁控溅射)沉积金属氧化物作为栅介质？ 主要从薄膜致密性还有对GaN二维电子气的损伤方面考虑吗？ 另外，一般而言化学沉积(如PECVD)等工艺沉积的薄膜致密性会比PVD的要好，缺陷要少，这种说法是否正确？ 请前辈们指教。 |
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