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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 工艺技术 » 工艺设计 » HEMT栅介质制备工艺请教
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CDT1993

铜虫 (初入文坛)

[交流] HEMT栅介质制备工艺请教 已有1人参与

题主在做高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)器件方向，想请教一下为什么很少用PVD(如磁控溅射)沉积金属氧化物作为栅介质？
主要从薄膜致密性还有对GaN二维电子气的损伤方面考虑吗？

另外，一般而言化学沉积(如PECVD)等工艺沉积的薄膜致密性会比PVD的要好，缺陷要少，这种说法是否正确？

请前辈们指教。
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1楼 2018-03-10 09:54:21
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CDT1993

铜虫 (初入文坛)
顶一下，有人吗。。。
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2楼2018-03-16 17:52:19
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wuleke

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
是的，PECVD制备的介质确实致密性好，针孔少，绝缘效果明显。
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3楼2018-08-03 11:46:01
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