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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 关于CVD中用的基底Si/SiO2 de 问题
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肥猪观海

金虫 (正式写手)

[求助] 关于CVD中用的基底Si/SiO2 de 问题

285 nm SiO2/Si substrate 这个285是什么意思
以及a Si substrate capped with 100 nm thermal SiO2 using a home-built 这个是什么意思
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1楼 2018-03-09 14:49:52
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wangyiming2

新虫 (初入文坛)
硅衬底上有一层厚度为285纳米的二氧化硅，氧化层是由自制设备通过热氧化的方法获得的。

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2楼2018-03-09 15:53:59
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肥猪观海

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wangyiming2 at 2018-03-09 08:53:59
硅衬底上有一层厚度为285纳米的二氧化硅，氧化层是由自制设备通过热氧化的方法获得的。

非常感谢，只是你的不是应助贴，无法给金币，可以重新应助回答下嘛
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3楼2018-03-09 16:31:51
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