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prettybone

银虫 (小有名气)

[交流] 复合半导体和金属离子掺杂的区别

在氧化钛改性的文献中,提到了金属离子掺杂是在前驱体水解过程中加入离子,然后煅烧,复合半导体是两种半导体前驱体同时水解溶胶混合而成,我疑问的是,金属离子掺杂了煅烧后应该被氧化生成氧化物了,也就是以氧化物的形式存在的,这与复合半导体有什么本质区别?
   希望高手们能够解答疑问,先谢了
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zhoubo8628

金虫 (正式写手)


^_^@^_^(金币+1,VIP+0):多谢解答! 3-11 23:06
是有本质区别的,最后生成的是不同的物质。掺杂:选取恰当的金属离子和恰当的掺杂量,目的是让该金属离子部分替代基体金属氧化物的金属位或是空隙位,原基体的晶相结构不变;复合:两种物质混合。用XRD很容易检测两者的区别,值得注意的是,掺杂很容易引起复合材料产生。
2楼2009-03-11 22:41:59
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prettybone

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by zhoubo8628 at 2009-3-11 22:41:
是有本质区别的,最后生成的是不同的物质。掺杂:选取恰当的金属离子和恰当的掺杂量,目的是让该金属离子部分替代基体金属氧化物的金属位或是空隙位,原基体的晶相结构不变;复合:两种物质混合。用XRD很容易检测两 ...

非常感谢哈~~~~
3楼2009-03-12 10:08:02
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Eric_

新虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
我刚开始做二氧化钛的复合,也有这个疑问,看了楼上的,懂了,谢啦
4楼2010-01-28 23:02:14
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