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tingjiangn

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[交流] 【求助】关于Wannier exciton疑问

对于一个半导体来说，当我用激子能级和所谓的缺陷、杂质能级有什么区别吗？
激子能级是不是一个介于价带和导带的新能级呢？

[ Last edited by ddx-k on 2009-3-11 at 17:11 ]

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1楼 2009-03-11 16:38:25

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yzcluster

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ddx-k(金币+2,VIP+0):谢谢o(∩_∩)o... 3-11 17:11
GrasaVampiro(金币+4,VIP+0):3ks,再侃侃明暗激子，谢谢 3-11 10:43
tingjiangn(金币+6,VIP+0):多谢应助 3-13 09:19

对于绝缘体或是半导体来说，当用在能带理论中，绝缘体或是半导体的基态是由填满的价带和全空的导带构成，只有当大于或等于Eg时的能量入射时，才能激发准粒子，在导带产生一个电子，在价带留下一个空穴，两者是独立运动的。这说明，禁带中不能存在准粒子的许可状态，因此，能带理论不能说明激子问题。
关键在于，通常的能带理论或是分子轨道理论是在单电子近似的理论，它们忽略了准粒子间的相互作用以及由此而引起的系统状态改变，比如，就出现了激子能级。
有时侯激子能级虽然和一些缺陷，杂质能级都出现在带隙，但是物理机理不一样。对于万尼尔激子来说（也就是大激子），它的原因是电子空穴相互吸引而产生的（类似于氢分子模型），但是一些缺陷或是杂质能级，是由于产生了局域态而出现的。物理背景不同。
当然，除了大激子外，还有小激子，也就是FRENKEL激子，这都是对完整晶体说的，总之他们都是体系的个别元激发。最近的研究，对于一些纳米体系，还会有明激子，暗激子等等，这是另一个问题，就不讨论了。呵呵，打字太累了。