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qinghui8552

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】SiO2问题截止09年3月16日

现在用一种某聚合物表面连接有POSS的这种物质(溶于四氢呋喃和甲苯)想得到SIO2粒子,我现在用的方法是将其溶解在甲苯中,然后spin-coating在Si片,接着在400°空气中烧,可是结果都很不理想。事实上spin-coating也并不均匀,希望各位达人能指导一下
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qinghui8552

铜虫 (小有名气)

SI片只是用7:3的浓硫酸和双氧水超声半小时而已,并未做任何特殊处理,在400°空气中烧以后就直接拿出来冷却了,没用到气体。
3楼2009-03-12 10:39:08
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zbs

金虫 (小有名气)

★ ★ ★
memser(金币+3,VIP+0):感谢提供帮助,欢迎常来微纳版 3-11 18:24
以上制备方法似乎有点笼统,没有提到衬底的处理、退火时温度的控制范围以及气体的选择等,实际上这些实验条件都会影响产物的生长,杂质特别容易对实验造成破坏。当然,总的实验思路可能很好,但还要注意每一个实验条件。实际上,SiO2纳米颗粒的制备方法还有溅射退火等,是不是考虑换个方法试试?可以参考相关的文献。
2楼2009-03-11 14:45:34
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qinghui8552

铜虫 (小有名气)

空气中少的目的是希望把聚合物、有机物烧掉以后,得到Sio2粒子。我想400°应该可以烧掉了,那烧的时间是不是也应该考虑一下呢?我只烧了20秒。还有我想就是如何才能旋涂均匀的问题
4楼2009-03-12 10:42:55
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wqnow

木虫 (正式写手)


大笨猪和聪明羊(金币+1,VIP+0):谢谢应助^_^ 3-13 11:21
400℃20s不够吧,Si片又不怕烧,上600℃,硅片本身的氧化膜不影响结果吧,烧的时间再长点30min。
Si片上要氧化出层SiO2还挺费劲的呢,干氧氧化1100℃1天才能出1um。
5楼2009-03-12 14:10:54
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