| 查看: 1281 | 回复: 0 | ||
[求助]
SentaurusTCAD中MOSFET阱区掺杂浓度如何调节
|
| 在TCAD中需要改变PMOS的N阱掺杂浓度，N阱掺杂在软件中通过高斯分布来定义，论文中的方法是通过调整高斯分布的峰值浓度，但软件中还有掺杂深度处的浓度分布，请问在调节N阱掺杂浓度的时候，除了调整高斯分布的峰值浓度，还要对掺杂深度处的浓度分布进行更改吗？ |
回复此楼» 猜你喜欢
请问社科规划办官网上的“项目查询模块”与“项目申报模块”的账号密码一样吗？
已经有3人回复
-
用NBS溴化时溶剂除了CCl4外还有什么
已经有9人回复
-
40+中年人失业后，还能找到好工作吗？
已经有15人回复
-
二审4个多月了还是Awaiting Reviewer Scores
已经有5人回复
-
申请科研项目纯靠实力能成功吗？
已经有12人回复
-
极限拉扯，如何抉择
已经有15人回复