| 查看: 1209 | 回复: 0 | ||
[求助]
SentaurusTCAD中MOSFET阱区掺杂浓度如何调节
|
| 在TCAD中需要改变PMOS的N阱掺杂浓度，N阱掺杂在软件中通过高斯分布来定义，论文中的方法是通过调整高斯分布的峰值浓度，但软件中还有掺杂深度处的浓度分布，请问在调节N阱掺杂浓度的时候，除了调整高斯分布的峰值浓度，还要对掺杂深度处的浓度分布进行更改吗？ |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有4人回复
-
今年春晚有几个节目很不错，点赞！
已经有6人回复
-
球磨粉体时遇到了大的问题，请指教！
已经有15人回复