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SentaurusTCAD中MOSFET阱区掺杂浓度如何调节
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| 在TCAD中需要改变PMOS的N阱掺杂浓度，N阱掺杂在软件中通过高斯分布来定义，论文中的方法是通过调整高斯分布的峰值浓度，但软件中还有掺杂深度处的浓度分布，请问在调节N阱掺杂浓度的时候，除了调整高斯分布的峰值浓度，还要对掺杂深度处的浓度分布进行更改吗？ |
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