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[交流] 求助解释两名词

本人做的是纳米材料领域的，请牛牛们好好解释下两个名字的具体含义：
DL: depletion layer
NBE: near band edge

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1楼 2009-03-09 20:40:13

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nigo

金虫 (著名写手)

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专业: 半导体材料

★ ★
nano-man(金币+2,VIP+0):谢谢，但是NBE的解释还不怎么懂，呵呵 3-10 16:31

不同导电类型或能力的材料（最简单的如p型半导体和n型半导体）之间由于电子亲和能的不同造成电子的扩散
以达到系统的平衡
这样就形成了depletion layer（耗尽层）
depletion layer也称空间电荷区

band edge是能带论中的一个概念即带边
near band edge就是近带边
近带边存在着离价带或者导带很近的能级
有些时候它们在电子运动（如材料背景载流子形成）或者载流子复合发光（如光致发光）过程中占重要地位

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5楼2009-03-10 00:08:36

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zy830226

银虫 (正式写手)

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专业: 运动系统疾病诊疗新技术

★ ★
nano-man(金币+2,VIP+0):希望再给出NBE的详细含义，谢谢 3-10 16:30

depletion layer由于电子、空穴的扩散作用,在P一N结接触面两侧形成空间电荷区(称为耗尽层),形成一个势垒,阻碍电子和空穴扩散.当给P一N结施加正向电压时P一N结势垒区高度降低,耗尽层减薄,能量较大的电子和空穴分别注人到P区或N区,同P区的空穴和N区的电子复合,同时以光的形式辐射出多余的能量

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2楼2009-03-09 21:19:39

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