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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 光学材料 » [交流] 如何用能带来解释发光
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maike01

金虫 (正式写手)

[交流] [交流] 如何用能带来解释发光

大家好，对最简单的半导体材料，是如何用它的能带来解释它的光致（PL）发光行为的呢？
通常认为其在650那么左右的是氧空位引起的，不知道这个与能带有没有关系呢？
谢谢大家！
如果能带不能用来解释发光，那么能带的计算除了和实验测试相比较以外，还有什么作用呢？

另外，测出来带隙，主要有什么作用呢，与哪些物理性质直接相关呢？
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1楼2009-03-08 15:17:51
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
★ ★
maike01(金币+2,VIP+0):谢谢 3-9 15:10
半导体直接带隙所导致是带边发射，确定无疑。另外一种发光来自于杂质电子态，可以算算介点函数试试，ZnO本征缺陷和光学跃迁的计算方面的文章2000年就有过了。
单纯的Zn在600 nm，如果是纳米颗粒的话，要考虑杂质、制备、尺寸的问题。如果都没有，非要用电子结构来解释我感觉会比较牵强，当然如果你有规律性，可重复性强，相信很有意义。
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
9楼2009-03-09 09:28:14
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
★
maike01(金币+1,VIP+0):谢谢 3-9 20:11
引用回帖:
Originally posted by maike01 at 2009-3-9 15:24:
谢谢楼上的回复，按照楼上的理解就是说如果我做的材料的发光范围在400-700的话，那肯定不能解释为直接带隙的跃迁了吗？因为发光范围很广，现在比较现实的解释是杂质或者空位了吗？这样理解不知道合理不？ 另外想请 ...

给你篇文献，希望对你有帮助，Phys. Rev. B 61, 15019 - 15027 (2000)
因为我也没明白你的成分是ZnO还是Zn，要是ZnO会比较容易解释，要是Zn可能还得费电事，自己的实验自己肯定最清楚了。
赞一下(1人) 回复此楼
姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
11楼2009-03-09 15:43:02
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