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一米阳光7668

新虫 (初入文坛)

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[交流] 【请教】铁电压电陶瓷方向问题？

自己阅读的文献还很少，想请问一下，铁电压电这一块还有什么方向可做的？

[ Last edited by ufoer on 2009-3-14 at 00:47 ]

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1楼 2009-03-04 23:28:40

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diwunju

铁杆木虫 (正式写手)

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★ ★
SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流 3-13 14:31
ufoer(金币+1,VIP+0):说得好 3-13 14:41

就铁电薄膜的失效机理来说，感觉可做的东西实在不多。疲劳是做得最多的，但是近十年来并无什么进展，说来说去就是氧空位的聚集，一种说在薄膜/电极界面聚集阻止了反向畴的成核，另一种说在薄膜内部畴界等处聚集阻止了电畴翻转，但是这种说法都没有太多的实验证据。主要原因是氧空位浓度是个不好测量的量，我只看到用正电子湮没的方法测，但是这要用到大型加速器，一般研究单位根本没有。其次imprint研究也比较多，实际上也是因为带电缺陷的聚集导致的内电场引起的，我的看法是一般使用条件下imprint对存储基本没有影响。最最令人沮丧的是，铁电存储这个东西现在工业界根本没兴趣，低端的应用电表、玩具、IC卡之类的已经有十年了，对这些应用疲劳根本就不是问题，再说真的失效就失效吧，也无所谓。而高密度存储之类的高端应用根本就没有可能，这种不可能目前看还说不到材料本身的原因，而是因为没有哪一个主流的芯片企业会在自己的生产线上实验这些材料。半导体工业是一个极端保守的行业，一方面他们不愿意引入alien elements，另一方面资本家在现有技术还能挣钱的时候是不会真心实意的投巨资开发新技术的，只愿意在原有技术上修修补补。我觉得铁电失效机理真的可以不要做了，浪费时间。

楼上说的前两点还是相当有意思的。